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TiO2/二维(ReS2,GeTe)薄膜异质结光 催化剂制备及光电催化性能研究

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（1）采取球磨与超声液相辅助剥离法制备二维层状ReS2纳米片，所制得的 纳米片尺寸约为200 nm，厚度小于10 nm。通过滴涂法工艺在一维TiO2垂直纳 米棒（NRs）阵列薄膜上涂覆 ReS2 纳米片制备 TiO2/ReS2 半导体薄膜异质结。

　　TiO2/ReS2 异质结光阳极在硫化铼纳米片溶液浓度为 0.2 mg/mL、涂覆量 0.2 mg时，具有最高光电流密度1.3 mA/cm2。该光阳极光电转换制氢效率?约为0.46%， 是纯相 TiO2纳米棒（NRs）阵列的 2.56 倍。

（2）TiO2/GeTe半导体异质结光阳有优良的光电催化特性。利用（AM 1.5G/300W）氙灯光源，在 0.3 V 偏压下，经空气等离子体改性处理后，异质结光阳极的光电转换制氢效率?约为1.44%，是纯相TiO2纳米棒阵列薄膜的3倍， 是未经改性复合样品的 2.25 倍。同时，改性处理样品最高光电流密度可达 4.0mA/cm2。在 380 nm 的单色光源下，其 IPCE 高达 55%，是纯相 TiO2纳米棒阵列薄膜的 11 倍，是未经改性复合样品的 1.6 倍。TiO2/GeTe 异质结光阳极的形成， 能够有效增强光吸收；同时，光生载流子分离和转移效率也得以有效提高，进而实现高效的光电催化活性。